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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2003    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Formation of self-assembly and the mechanism of si nanoquantum dots prepared by low pressure chemical vapor deposition 期刊论文 Acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 12, 页码: 3108-3113 作者:  Peng, YC;  Ikeda, M;  Miyazaki, S 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Si nanoquanturn dots  Lpcvd  Self-assembed formation  Growth mechanism   Realization of quantum cascade laser operating at room temperature 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 285-289 作者:  Li, CM;  Liu, FQ;  Jin, P;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Crystal structure  Lattice-mismatch  Microsctucture  Radiation  X-ray diffraction  Molecular beam epitaxy  Infrared devices  Quantum cascade laser   Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：230/30  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  THREADING DISLOCATIONS  TEMPERATURE  EVOLUTION  SURFACE  MOVPE   Magnetic properties of silicon doped with gadolinium 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：322/10  |  提交时间：2010/08/12 METAL-INSULATOR-TRANSITION  BEAM EPITAXY TECHNIQUE  SEMICONDUCTING SILICIDES  INDUCED FERROMAGNETISM  FILMS  MAGNETORESISTANCE  TEMPERATURE  ALLOYS   Microstructure characterization of transition films from amorphous to nanocrocrystalline silicon 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 27-32 Xu YY; Liao XB; Kong GL; Zeng XB; Hu ZH; Diao HW; Zhang SB 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  growth from vapor  chemical vapor deposition processes  semiconducting silicon  A-SI-H  MICROCRYSTALLINE SILICON  EXCITATION-FREQUENCY  HYDROGENATED SILICON  DEPOSITION  PLASMA  TEMPERATURE   Formation of self-assembly and the mechanism of Si nanoquantum dots prepared by low pressure chemical vapor deposition 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 12, 页码: 3108-3113 Peng, YC; Ikeda, M; Miyazaki, S 收藏  |  浏览/下载：485/313  |  提交时间：2010/03/09 Si nanoquanturn dots   Optical constants of cubic GaN/GaAs(001): Experiment and modeling 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 5, 页码: 2549-2553 Munoz M; Huang YS; Pollak FH; Yang H 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HEXAGONAL GAN  TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  TRANSITIONS  GROWTH  GAIN  ALN  ELLIPSOMETRY  WURTZITE   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 期刊论文 microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Realization of quantum cascade laser operating at room temperature 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 285-289 作者:  Jin P;  Li CM 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 crystal structure  lattice-mismatch  microsctucture  radiation  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  infrared devices  quantum cascade laser  MU-M   Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 427-431 Li Q; Fang ZL; Xu SJ; Li GH; Xie MH; Tong SY; Zhang XH; Liu W; Chua SJ 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 PIEZOELECTRIC FIELD  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE