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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study on variable capacitance diode of (p)nc-Si : H/(n)c-Si heterojunction 期刊论文 vacuum, 2003, 卷号: 71, 期号: 4, 页码: 465-469 Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Li YX 收藏  |  浏览/下载：435/4  |  提交时间：2010/08/12 nc-Si : H film  (p)nc-Si : H/(n)c-Si heterojunction  variable capacitance diode  NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS  ELECTRICAL CHARACTERIZATION  CONDUCTION MECHANISM  SPECTROSCOPY  STATES   Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type GaAs surface studied by photoreflectance 期刊论文 applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：459/3  |  提交时间：2010/08/12 sulfur passivation  Franz-Keldysh oscillations  undoped-n(+) type GaAs  complex Fourier transformation  FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  GAAS(001) SURFACES  GAAS(100)  PHOTOEMISSION  SPECTROSCOPY  ENHANCEMENT   Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841 Qu BZ; Zhu QS; Sun XH; Wan SK; Wang ZG; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：292/4  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  LIGHT-EMITTING-DIODES  LOCALIZED EXCITONS  GALLIUM NITRIDE  FILMS  DEFECTS  LUMINESCENCE  COMPENSATION  SPECTROSCOPY  ACCEPTORS