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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2002    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Crystallographic tilt in gan layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文 Science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Feng, G;  Zheng, XH;  Zhu, JJ;  Shen, XM;  Zhang, BS 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Epitaxial lateral overgrowth  Crystallographic tilt  Double crystal x-ray diffraction   Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown gan using selective etching 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者:  Feng, G;  Zheng, XH;  Fu, Y;  Zhu, JJ;  Shen, XM 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Etching  Metalorganic vapor-phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting iii-v materials   Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  epitaxial lateral overgrowth  crystallographic tilt  double crystal X-ray diffraction  FILMS  DEFECTS  GAAS   Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  etching  metalorganic vapor-phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  DISLOCATIONS  DENSITY  GROWTH  LAYERS