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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dielectric properties of Bi2Ti2O7 films grown on Si(100) substrate by APMOCVD 会议论文 10th international meeting on ferroelectricity (imf-10), madrid, spain, sep 03-07, 2001 Wang H; Shang SX; Yao WF; Hou Y; Xu XH; Wang D; Wang M; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 Bi2Ti2O7  thin film  MOCVD  (111) orientation  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CRYSTAL THIN-FILMS   Excitonic photoluminescence properties of nanocrystalline GaSb and Ga0.62In0.38Sb embedded in silica films 期刊论文 journal of luminescence, 2002, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 273-281 Liu FM; Wang TM; Zhang LD; Li GH; Han HX 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 nanocrystals  photoluminescence  quantum confinement  GaSb  Ga0.62In0.38Sb  LIQUID-PHASE EPITAXY  X-RAY PHOTOELECTRON  GALLIUM ANTIMONIDE  COMPOSITE FILMS  QUANTUM DOTS  RAMAN  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  SPECTRA  MATRIX   The mechanism of blueshift in excitation-intensity-dependent photo luminescence spectrum of nitride multiple quantum wells 期刊论文 journal of luminescence, 2002, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 35-38 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  excitation transfer mechanism  GAN  InGaN  MOCVD  INGAN SINGLE  EMISSION  POLARIZATION   Photoluminescence of Te isoelectronic traps in ZnSeTe/ZnSe quantum wells under hydrostatic pressure 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2002, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 28-32 Fang ZL; Li GH; Han HX; Ding K; Chen Y; Peng CL; Yuan SX 收藏  |  浏览/下载：81/6  |  提交时间：2010/08/12 Te isoelectronic traps  pressure  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ZNSE1-XTEX  ALLOYS  EMISSION  CENTERS  BEHAVIOR   Etching Behavior of GaN/GaAs(001) Epilayers Grown by MOVPE 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 707-712 Shen Xiaoming; Feng Zhihong; Feng Gan; Fu Yi; Zhang Baoshun; Sun Yuanping; Zhang Zehong; Yang Hui 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/23