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浏览/检索结果: 共37条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2001    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Infrared study on the oxygen precipitation in floating-zone silicon grown in hydrogen ambience 期刊论文 Rare metal materials and engineering, 2001, 卷号: 30, 页码: 568-571 作者:  Li, HX;  Li, CB;  Xue, CS;  Diao, ZY;  Chen, LS 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Oxygen precipitates  Silicon  Infrared spectrum   Damage profiles and damage annealing behavior in al0.168ga0.348in0.484p/gaas implanted with 200 kev zn+ ions 期刊论文 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2001, 卷号: 86, 期号: 3, 页码: 189-194 作者:  Liu, PJ;  Liu, XD;  Xia, YY;  Li, YG;  Xu, HL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Algainp  Ion implantation  Damage profile  Annealing behavior   Size limit and spontaneous emission factor for equilateral triangle semiconductor microlasers 期刊论文 Iee proceedings-optoelectronics, 2001, 卷号: 148, 期号: 5-6, 页码: 229-232 作者:  Huang, YZ;  Guo, WH;  Yu, LJ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and characterization of gainnas/gaas by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 516-520 作者:  Pan, Z;  Li, LH;  Zhang, W;  Wang, XU;  Lin, YW 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Adsorption  Characterization  Radiation  Molecular beam epitaxy  Nitrides   Defect formation and annealing behavior of si implanted by high-energy er-166 ions 期刊论文 Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2001, 卷号: 174, 期号: 1-2, 页码: 137-142 作者:  Li, YG;  Tan, CY;  Xue, CS;  Zhang, JP;  Xu, HL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Ion implantation  Annealing behavior  Diffusion   Experimental investigation of photoluminescence dynamics of cavity polaritons under nonresonant excitation 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 37, 页码: 8467-8474 Liu BL; Xu ZY; Wang BS; Deng YM; Yang FH; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：96/12  |  提交时间：2010/08/12 SEMICONDUCTOR MICROCAVITIES  SPONTANEOUS EMISSION  EXCITON  SCATTERING   Structural, optical and intraband absorption properties of vertically aligned In0.32Ga0.68As/GaAs quantum dots superlattices 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2001, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 384-390 Zhuang QD; Yoon SF; Li HX; Li JM; Zeng YP; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：93/7  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  superlattice  vertical alignment  photoluminescence  infrared absorption  INFRARED PHOTODETECTORS  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  SPECTROSCOPY  DETECTOR   Longitudinal optic phonon-plasmon coupling in delta-doped metamorphic InAlAs/InGaAs high-electron-mobility transistor structures on GaAs substrates 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 1375-1377 Jiang CP; Huang ZM; Li ZF; Yu J; Guo SL; Lu W; Chu JH; Cui LJ; Zeng YP; Zhu ZP; Wang BQ 收藏  |  浏览/下载：76/2  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM-WELLS  ACCUMULATION LAYER  RAMAN-SCATTERING  EXCITATIONS  GA1-XINXAS  SPECTRA   Detection of efficient carrier capture in ultrathin InAs/GaAs layers using a degenerate pump-probe technique 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 18, 页码: 3923-3930 Liu B; Li Q; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：113/10  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM DOTS  ZNSE MATRIX  GAAS  SPECTROSCOPY  RELAXATION   Conduction band offset and electron effective mass in GaInNAs/GaAs quantum-well structures with low nitrogen concentration 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 15, 页码: 2217-2219 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：104/6  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAASN  LASER  OPERATION  ALLOYS  GROWTH  GAAS