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金属研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2001 [10]
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发表日期:2001
专题:金属研究所
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85
90
95
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Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969
作者:
Gao, F
;
Huang, CJ
;
Huang, DD
;
Li, JP
;
Kong, MY
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2021/02/02
Ge islands
chemical etching
photoluminescence
Si2H6-Ge molecular beam epitaxy
Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969
作者:
Gao, F
;
Huang, CJ
;
Huang, DD
;
Li, JP
;
Kong, MY
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2021/02/02
Ge islands
chemical etching
photoluminescence
Si2H6-Ge molecular beam epitaxy
Changing the size and shape of Ge island by chemical etching
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21
作者:
Gao, F
;
Huang, CJ
;
Huang, DD
;
Li, JP
;
Sun, DZ
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2021/02/02
atomic force microscopy
etching
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconducting germanium
semiconducting silicon
Electroluminescence from semitransparent Au film/SiO2/(amorphous-Si/SiO2) superlattice/p-Si structure
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 10, 页码: 5682-5686
C. L. Heng
;
Y. Chen
;
Z. C. Ma
;
W. H. Zong
;
G. G. Qin
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提交时间:2012/04/14
si/sio2 superlattices
quantum confinement
silicon
photoluminescence
4 MeV electron irradiation effect on electroluminesencence from Au/SiO2/p-Si and Au/Si-rich SiO2/p-Si structures
期刊论文
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2001, 卷号: 173, 期号: 3, 页码: 299-303
G. Z. Ran
;
W. C. Qin
;
Z. C. Ma
;
W. H. Zong
;
G. G. Qin
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2012/04/14
porous silicon
visible electroluminescence
quantum efficiency
si
structure
p-si
oxide
photoluminescence
films
Dependence of 1.54 mu m photoluminescence on excess-Si degrees of Er-doped Si-rich SiO2 films deposited by magnetron sputtering
期刊论文
Chinese Physics Letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 986-988
G. Z. Ran
;
Y. Chen
;
Z. C. Ma
;
W. H. Zong
;
L. Q. Xie
;
C. G. Guo
;
G. C. Qin
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2012/04/14
silicon-oxide
electroluminescence
nanocrystals
sio2-films
luminescence
Effects of Si, Ge and Ar ion-implantation on EL from Au/Si-rich SiO2/p-Si structure
期刊论文
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2001, 卷号: 183, 期号: 3-4, 页码: 305-310
Y. Chen
;
G. Z. Ran
;
Y. K. Sun
;
Y. B. Wang
;
J. S. Fu
;
W. T. Chen
;
Y. Y. Gong
;
D. X. Wu
;
Z. C. Ma
;
W. H. Zong
;
G. G. Qin
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/04/14
silicon-dioxide films
visible electroluminescence
optical-properties
photoluminescence
enhancement
sio2-films
glass
An effect of Si nanoparticles on enhancing Er3+ electroluminescence in Si-rich SiO2 : Er films
期刊论文
Solid State Communications, 2001, 卷号: 118, 期号: 11, 页码: 599-602
G. Z. Ran
;
Y. Chen
;
F. C. Yuan
;
Y. P. Qiao
;
J. S. Fu
;
Z. C. Ma
;
W. H. Zong
;
G. G. Qin
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/04/14
thin films
nanostructures
recombination and trapping
luminescence
molecular-beam epitaxy
oxygen-doped silicon
erbium
nanocrystals
light
oxide
Room-temperature 1.54 mu m electroluminescence from Er-doped silicon-rich silicon oxide films deposited on n(+)-Si substrates by magnetron sputtering
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: 5835-5837
G. Z. Ran
;
Y. Chen
;
W. C. Qin
;
J. S. Fu
;
Z. C. Ma
;
W. H. Zong
;
H. Lu
;
J. Qin
;
G. G. Qin
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/04/14
molecular-beam epitaxy
erbium
si
photoluminescence
diodes
The role of silicon oxide layers in luminescence of ensembles of silicon quantum dots
期刊论文
Communications in Theoretical Physics, 2001, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 371-380
S. H. Wang
;
G. Y. Qin
;
S. F. Ren
;
G. G. Qin
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/04/14
silicon oxide layer
quantum dot
luminescence
porous silicon
si nanocrystals
photoluminescence
mechanism
states
electroluminescence
sio2-films
films
dlts
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