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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2001 [3]
学科主题
半导体物理 [3]
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发表日期:2001
学科主题:半导体物理
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Conduction band offset and electron effective mass in GaInNAs/GaAs quantum-well structures with low nitrogen concentration
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 15, 页码: 2217-2219
作者:
Jiang DS
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INGAASN
LASER
OPERATION
ALLOYS
GROWTH
GAAS
In-plane optical anisotropy of symmetric and asymmetric (001) GaAs/Al(Ga)As superlattices and quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 3, 页码: 1266-1270
作者:
Xu B
;
Ye XL
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提交时间:2010/08/12
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
DIFFERENCE SPECTROSCOPY
INVERSION ASYMMETRY
COMMON-ATOM
LIGHT-HOLE
HETEROSTRUCTURES
INTERFACE
In-plane optical anisotropy in asymmetric Si1-xGex/Si/Si1-yGey superlattices
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 24, 页码: l559-l567
Yu R
;
Zhu BF
;
Wang QM
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提交时间:2010/08/12
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
QUANTUM-WELLS
ELECTRONIC-STRUCTURE
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
INTERFACES
FIELD
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