QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Microtwins and twin inclusions in the 3C-SiC epilayers grown on Si(001) by APCVD 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：95/12  |  提交时间：2010/08/12 3C-SiC  microtwins  X-ray four-circle diffractometer  APCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SILICON-CARBIDE  PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  GAN  SI  SUBSTRATE  DEFECTS  NITRIDE  MBE   Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985 Liao MY; Qin FG; Zhang JH; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 BIAS-ENHANCED NUCLEATION  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  BEAM DEPOSITION  MECHANISM  SILICON  SPECTROSCOPY   The microstructure and its high-temperature annealing behaviours of a-Si : O : H film 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2418-2422 Wang YQ; Chen CY; Chen WD; Yang FH; Diao HW 收藏  |  浏览/下载：82/6  |  提交时间：2010/08/12 a-Si : O : H  nc-Si  microstructure  annealing  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS SIO2  OPTICAL-PROPERTIES  SILICON