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科研机构
半导体研究所 [39]
内容类型
期刊论文 [35]
会议论文 [4]
发表日期
2001 [39]
学科主题
半导体物理 [39]
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发表日期:2001
学科主题:半导体物理
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Different transfer paths for thermally activated electrons and holes in self-organized Ge/Si(001) islands in a multilayer structure
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 14, 页码: 2006-2008
Huang CJ
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Tang Y
;
Li DZ
;
Cheng BW
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Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
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提交时间:2010/08/12
STRANSKI-KRASTANOV GROWTH
SI/SI1-XGEX QUANTUM-WELLS
II BAND ALIGNMENT
PHOTOLUMINESCENCE
GE
EXCITONS
GAP
SI
Variational calculations of ionized-donor-bound excitons in GaAs-AlxGa1-xAs quantum wells
期刊论文
european physical journal b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 17-20
Liu JJ
;
Zhang SF
;
Li YX
;
Kong XJ
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
BINDING-ENERGY
2-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS
NEUTRAL DONORS
BIEXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
IMPURITY
Experimental investigation of photoluminescence dynamics of cavity polaritons under nonresonant excitation
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 37, 页码: 8467-8474
Liu BL
;
Xu ZY
;
Wang BS
;
Deng YM
;
Yang FH
;
Ge WK
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提交时间:2010/08/12
SEMICONDUCTOR MICROCAVITIES
SPONTANEOUS EMISSION
EXCITON
SCATTERING
Growth and photoluminescence of epitaxial CeO2 film on Si (111) substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 443-444
Gao F
;
Li GH
;
Zhang JH
;
Qin FG
;
Yao ZY
;
Liu ZK
;
Wang ZG
;
Lin LY
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提交时间:2010/08/12
OPTICAL-PROPERTIES
THIN-FILMS
DEPOSITION
EMISSION
LAYERS
The keys to get high transconductance of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs devices
期刊论文
solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 751-754
Cao X
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
pseudomorphic HEMTs
photoluminescence
Photoluminescence of nanocrystalline SiC films prepared by rf magnetron sputtering
期刊论文
chinese physics, 2001, 卷号: 10, 期号: suppl.s., 页码: s36-s39
Liu JW
;
Xie FQ
;
Zhong DY
;
Wang EG
;
Liu WX
;
Li SF
;
Yang H
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提交时间:2010/08/12
luminescence
SiC
nanocrystalline film
rf sputtering
RAMAN-SCATTERING
Structural, optical and intraband absorption properties of vertically aligned In0.32Ga0.68As/GaAs quantum dots superlattices
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2001, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 384-390
Zhuang QD
;
Yoon SF
;
Li HX
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Lin LY
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
superlattice
vertical alignment
photoluminescence
infrared absorption
INFRARED PHOTODETECTORS
GROWTH
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
SPECTROSCOPY
DETECTOR
Radiative recombination characteristics in GaAs multilayer n(+)-i interfaces
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5444-5446
Shen WZ
;
Jiang LF
;
Yu G
;
Lai ZY
;
Wang XG
;
Shen SC
;
Cao X
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提交时间:2010/08/12
FAR-INFRARED DETECTORS
SI-DOPED GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
LAYERS
Quantum dots in glass spherical microcavity
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 2, 页码: 153-155
作者:
Tan PH
;
Jiang DS
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浏览/下载:120/25
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提交时间:2010/08/12
SURFACE
Effect of growth temperature on luminescence and structure of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 2048-2050
作者:
Xu B
;
Ye XL
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LASER-DIODES
PHOTOLUMINESCENCE
THRESHOLD
EMISSION
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