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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体物理    内容类型：会议论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Observation of the resonant Raman behavior of individual single-walled carbon nanotubes 会议论文 25th international conference on the physics of semiconductors (icps25), osaka, japan, sep 17-22, 2000 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29 ELECTRIC-ARC TECHNIQUE  LARGE-SCALE  SCATTERING  SPECTRA  STOKES  MODES   Phase character of the electron transport through a double quantum dot in a mesoscopic ring 会议论文 25th international conference on the physics of semiconductors (icps25), osaka, japan, sep 17-22, 2000 You JQ; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/10/29 Analog computation using quantum-dot cell network 会议论文 international conference on solid state devices and materials (ssdm 99), sendai, japan, aug 29-31, 1999 Wu NJ; Saito K; Yasunaga H 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy 会议论文 10th international conference on narrow gap semiconductors and related small energy phenomena, physics and applications (ngs10), kanazawa, japan, may 27-31, 2001 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Lan Q; Kong YC; Zhou DY; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/10/29 molecular beam epitaxy  InGaAs islands  photolumineseence  line-width  1.3 MU-M  INAS/GAAS QUANTUM DOTS  OPTICAL-PROPERTIES  CAP LAYER  GAAS  LUMINESCENCE  STRAIN   Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots 会议论文 9th international conference on high pressure semiconductor physics (hpsp9), sapporo, japan, sep 24-28, 2000 Li GH; Chen Y; Fung ZL; Ding K; Han HX; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 HYDROSTATIC-PRESSURE  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS  LUMINESCENCE  GROWTH  INSB  GASB