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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2001 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2001
学科主题:半导体材料
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Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 96-103
Xu HZ
;
Bell A
;
Wang ZG
;
Okada Y
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Foxon CT
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提交时间:2010/08/12
gallium nitride
metalorganic vapor-phase epitaxy
photoluminescence
yellow luminescence
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THIN-FILMS
DOPED GAN
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