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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2000    专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Method for fabricating optoelectronic device in low-temperature deposition and thermal treatment 专利 专利号: US6124147, 申请日期: 2000-09-26, 公开日期: 2000-09-26 作者:  SHIM, KYU HWAN;  PAEK, MUN CHEOL;  CHO, KYOUNG IK 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor device structures incorporating "buried" mirrors and/or "buried" metal electrodes and a process for their fabrication 专利 专利号: US6111276, 申请日期: 2000-08-29, 公开日期: 2000-08-29 作者:  MAUK, MICHAEL G. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 Blue vertical cavity surface emitting laser 专利 专利号: EP0955708A3, 申请日期: 2000-07-05, 公开日期: 2000-07-05 作者:  FLOYD, PHILIP D.;  HOFSTETTER, DANIEL 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 Optical semiconductor element 专利 专利号: US6057561, 申请日期: 2000-05-02, 公开日期: 2000-05-02 作者:  KAWASAKI, MASASHI;  KOINUMA, HIDEOMI;  OHTOMO, AKIRA;  SEGAWA, YUSABURO;  YASUDA, TAKASHI 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Integrated heterostructures of group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact comprising multiple quantum well 专利 专利号: US6046464, 申请日期: 2000-04-04, 公开日期: 2000-04-04 作者:  SCHETZINA, JAN FREDERICK 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Planarized growth of III-V compound 专利 专利号: US6030452, 申请日期: 2000-02-29, 公开日期: 2000-02-29 作者:  TAKEUCHI, TATSUYA 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 Method and apparatus for diffusing zinc into groups III-V compound semiconductors crystals 专利 专利号: EP0977247A2, 申请日期: 2000-02-02, 公开日期: 2000-02-02 作者:  IGUCHI, YASUHIRO, C/O OSAKA WORKS OF SUMITOMO ELEC;  SOWA, SOSUKE, C/O OSAKA WORKS OF SUMITOMO ELEC 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30