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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2000 [4]
学科主题
半导体物理 [3]
半导体材料 [1]
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发表日期:2000
专题:半导体研究所
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Influence of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) cap layer on structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2000, 卷号: 39, 期号: 9a, 页码: 5076-5079
Wang XD
;
Niu ZC
;
Feng SL
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
strain-reduction
molecular beam epitaxy (MBE)
red shift
photoluminescence
1.3 MU-M
INGAAS
ENERGY
Hole levels and exciton states in CdS nanocrystals
期刊论文
physical review b, 2000, 卷号: 62, 期号: 19, 页码: 12613-12616
作者:
Li JB
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM DOTS
ELECTRON
SPECTRUM
CRYSTALLITES
CONFINEMENT
TRANSITIONS
ASSIGNMENT
CLUSTERS
ENERGY
BAND
Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3)
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3392-3395
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
1.3 MU-M
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH
EMISSION
LASERS
ENERGY
Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
InGaAs overgrowth layer
photoluminescence
molecular beam epitaxy
1.3 MU-M
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH
EMISSION
LASERS
ENERGY
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