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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2000    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  cubic GaN  Mg doping  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  III-V NITRIDE  P-TYPE GAN  OPTICAL-PROPERTIES  COMPENSATION  DIODES  FILMS   Relaxed GexSi1-x layer formation with reduced dislocation density grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 449-451 Luo GL; Chen PY; Lin XF; Tsien P; Fan TW 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-ELECTRON-MOBILITY  BUFFER LAYER  SI/SIGE HETEROSTRUCTURES  SI  TEMPERATURE  SILANE  FILMS