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浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 P型GaN和AlGaN外延材料的制备 期刊论文 高技术通讯, 2000, 卷号: 10, 期号: 8, 页码: 26 作者:  韩培德 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 GaN基材料的光学及电学性质研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000 阎华 收藏  |  浏览/下载：81/7  |  提交时间：2009/04/13 In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 221, 期号: 0, 页码: 356-361 Lu DC; Wang CX; Yuan HR; Liu XL; Wang XH 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  annealing treatment  In-doping  MOVPE  photoluminescence  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE   In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 会议论文 10th international conference on metalorganic vapor phase epitaxy (icmovpe-x), sapporo, japan, jun 05-09, 2000 Lu DC; Wang CX; Yuan HR; Liu XL; Wang XH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 GaN  annealing treatment  In-doping  MOVPE  photoluminescence  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料 期刊论文 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 350 孙殿照; 刘宏新; 王军喜; 王晓亮; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23 Fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetectors on undoped GaN/sapphire grown by MBE 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 1, 页码: 1-6 Xu HZ; Wang ZG; Kawabe M; Harrison I; Ansell BJ; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  photoluminescence  optical quenching of photoconductivity  native defect level  molecular beam epitaxy  SINGLE-CRYSTAL GAN  I-N PHOTODIODES  HIGH-SPEED  PHOTOCONDUCTORS  ALXGA1-XN  SIMULATIONS  DETECTORS  SAPPHIRE  LAYERS   Influence of precipitates on GaN epilayer quality 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 214-217 Kang JY; Huang QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 precipitate  GaN  WDS  TEM  cathodoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  MECHANISM  GROWTH   Influence of precipitates on GaN epilayer quality 会议论文 iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Kang JY; Huang QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 precipitate  GaN  WDS  TEM  cathodoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  MECHANISM  GROWTH   Au-GaN肖特基结的伏安特性 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 369 林兆军; 张太平; 武国英; 王玮; 阎桂珍; 孙殿照; 张建平; 张国义 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23