QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体材料    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of precipitates on GaN epilayer quality 会议论文 iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Kang JY; Huang QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 precipitate  GaN  WDS  TEM  cathodoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  MECHANISM  GROWTH   Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon 会议论文 international-union-of-materials-research-societies international conference on advanced materials (iumrs-icam 99), beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Lei HB; Yang QQ; Ou HY; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 Er-doped silicon  photoluminescence  energy transfer  AL2O3 WAVE-GUIDES  ER  ELECTROLUMINESCENCE  EPITAXY  GAAS   Characterization of CdSe and CdSe/CdS core/shell nanoclusters synthesized in aqueous solution 会议论文 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Liu SM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 CdSe  CdSe/CdS  nanoclusters  QUANTUM DOTS  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALLITES  SIZE  EXCITON  CLUSTERS  DARK   Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 会议论文 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 self-assembled quantum dots  InP substrate  high index  In(Ga,Al)As/InAlAs/InP  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP(001)  GROWTH  LASERS