CORC

浏览/检索结果: 共10条,第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg and method for fabricating the same 专利
专利号: US6009113, 申请日期: 1999-12-28, 公开日期: 1999-12-28
作者:  MORIMOTO, TAIJI;  SHIBATA, ZENKICHI;  ISHIZUMI, TAKASHI;  MIYAZAKI, KEISUKE;  HATA, TOSHIO
收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP3002526B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24
作者:  内田 憲治;  山下 茂雄;  中塚 慎一;  梶村 俊
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
Nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method 专利
专利号: US5981977, 申请日期: 1999-11-09, 公开日期: 1999-11-09
作者:  FURUKAWA, CHISATO;  SUGAWARA, HIDETO;  ISHIKAWA, MASAYUKI;  SUZUKI, NOBUHIRO
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/24
面発光レーザ装置 专利
专利号: JP2952299B2, 申请日期: 1999-07-16, 公开日期: 1999-09-20
作者:  伊賀 健一;  茨木 晃;  古沢 浩太郎;  石川 徹
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/18
A method of fabricating a semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg 专利
专利号: EP0693810B1, 申请日期: 1999-04-28, 公开日期: 1999-04-28
作者:  MORIMOTO, TAIJI;  SHIBATA, ZENKICHI;  ISHIZUMI, TAKASHI;  MIYAZAKI, KEISUKE;  HATA, TOSHIO
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/12/24
半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2919606B2, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-07-12
作者:  廣山 良治;  浜田 弘喜
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/23
半導体レーザ 专利
专利号: JP2910115B2, 申请日期: 1999-04-09, 公开日期: 1999-06-23
作者:  成井 啓修;  平田 照二
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/18
SYSTEME DE CROISSANCE EPITAXIALE EN PHASE LIQUIDE 专利
专利号: FR2736657B1, 申请日期: 1999-03-12, 公开日期: 1999-03-12
作者:  SEKIJIMA, TAKENORI;  FUJII, TAKASHI;  FUJINO, MASARU
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/31
Semiconductor light emitting device 专利
专利号: US5866918, 申请日期: 1999-02-02, 公开日期: 1999-02-02
作者:  YAMAMOTO, YOUSUKE;  HIRONAKA, MISAO
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18
面発光半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利号: JP2880788B2, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-04-12
作者:  上野 芳康
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/26


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace