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科研机构
西安光学精密机械研... [10]
内容类型
专利 [10]
发表日期
1999 [10]
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发表日期:1999
专题:西安光学精密机械研究所
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Semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg and method for fabricating the same
专利
专利号: US6009113, 申请日期: 1999-12-28, 公开日期: 1999-12-28
作者:
MORIMOTO, TAIJI
;
SHIBATA, ZENKICHI
;
ISHIZUMI, TAKASHI
;
MIYAZAKI, KEISUKE
;
HATA, TOSHIO
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/12/26
半導体レーザ素子の製造方法
专利
专利号: JP3002526B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24
作者:
内田 憲治
;
山下 茂雄
;
中塚 慎一
;
梶村 俊
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2020/01/13
Nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method
专利
专利号: US5981977, 申请日期: 1999-11-09, 公开日期: 1999-11-09
作者:
FURUKAWA, CHISATO
;
SUGAWARA, HIDETO
;
ISHIKAWA, MASAYUKI
;
SUZUKI, NOBUHIRO
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/24
面発光レーザ装置
专利
专利号: JP2952299B2, 申请日期: 1999-07-16, 公开日期: 1999-09-20
作者:
伊賀 健一
;
茨木 晃
;
古沢 浩太郎
;
石川 徹
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/01/18
A method of fabricating a semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg
专利
专利号: EP0693810B1, 申请日期: 1999-04-28, 公开日期: 1999-04-28
作者:
MORIMOTO, TAIJI
;
SHIBATA, ZENKICHI
;
ISHIZUMI, TAKASHI
;
MIYAZAKI, KEISUKE
;
HATA, TOSHIO
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザの製造方法
专利
专利号: JP2919606B2, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-07-12
作者:
廣山 良治
;
浜田 弘喜
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/23
半導体レーザ
专利
专利号: JP2910115B2, 申请日期: 1999-04-09, 公开日期: 1999-06-23
作者:
成井 啓修
;
平田 照二
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2020/01/18
SYSTEME DE CROISSANCE EPITAXIALE EN PHASE LIQUIDE
专利
专利号: FR2736657B1, 申请日期: 1999-03-12, 公开日期: 1999-03-12
作者:
SEKIJIMA, TAKENORI
;
FUJII, TAKASHI
;
FUJINO, MASARU
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor light emitting device
专利
专利号: US5866918, 申请日期: 1999-02-02, 公开日期: 1999-02-02
作者:
YAMAMOTO, YOUSUKE
;
HIRONAKA, MISAO
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/18
面発光半導体レーザ及びその製造方法
专利
专利号: JP2880788B2, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-04-12
作者:
上野 芳康
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提交时间:2019/12/26
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