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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1997 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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发表日期:1997
学科主题:半导体物理
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Kinetics of dissociative water adsorption on stepped Si(001), on Si(115), Si(113), Si(5,5,12) and Si(112)
期刊论文
surface science, 1997, 卷号: 381, 期号: 1, 页码: 1-11
Ranke W
;
Xing YR
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提交时间:2010/11/17
adsorption kinetics
low energy electron diffraction
low index single crystal surfaces
silicon
surface structure
morphology
roughness
and topography
vicinal single crystal surfaces
visible and ultraviolet photoelectron spectroscopy
water
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
CYLINDRICAL SILICON CRYSTAL
MILLER INDEX SURFACES
ROOM-TEMPERATURE
VICINAL SURFACES
ATOMIC-STRUCTURE
H2O
SI(100)
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