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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1996    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence studies on the interaction of near-surface gaas/alxga1-xas quantum wells with chemical adsorbates 期刊论文 Journal of photochemistry and photobiology a-chemistry, 1996, 卷号: 101, 期号: 2-3, 页码: 113-117 作者:  Liu, Y;  Xiao, XR;  Li, XP;  Xu, ZY;  Yuan, ZL 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Chemical adsorption  Multiquantum well  Photoluminescence   Pressure dependence of the electronic subband structure of strained in0.2ga0.8as/gaas mqws 期刊论文 Physica status solidi b-basic solid state physics, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335 作者:  Li, GH;  Goni, AR;  Syassen, K;  Hou, HQ;  Feng, W 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Visible electroluminescence from crystallized a-si:h/a-sinx:h multiquantum well structures 期刊论文 Journal of non-crystalline solids, 1996, 卷号: 198, 页码: 833-836 作者:  Chen, KJ;  Wang, MX;  Shi, WH;  Jiang, L;  Li, W 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Valence hole subbands and optical gain spectra of GaN/Ga1-xAlxN strained quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 1996, 卷号: 80, 期号: 6, 页码: 3471-3478 Fan WJ; Li MF; Chong TC; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 GALLIUM NITRIDE  ELECTRONIC-STRUCTURES  SEMICONDUCTOR-LASERS  ZINCBLENDE GAN  PRESSURE  PHOTOLUMINESCENCE  SUPERLATTICES  SUPPRESSION  RESONANCE  ALLOYS   Photoluminescence investigation of charge build-up process in the emitter of a double-barrier resonant tunneling structure 期刊论文 chinese physics letters, 1996, 卷号: 13, 期号: 9, 页码: 707-710 Luo KJ; Zheng HZ; Zhang T; Li CF; Yang XP; Zhang PH; Zhang W; Tian JF 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 QUANTUM WELL  SPECTROSCOPY   Pressure dependence of the electronic subband structure of strained In0.2Ga0.8As/GaAs MQWs 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335 Li GH; Goni AR; Syassen K; Hou HQ; Feng W; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/11/17 MULTIPLE QUANTUM-WELLS  HYDROSTATIC-PRESSURE  DEFORMATION POTENTIALS  EXCITON ABSORPTION  PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  GAAS   Normal incident infrared absorption from InGaAs/GaAs quantum dot superlattice 期刊论文 electronics letters, 1996, 卷号: 32, 期号: 18, 页码: 1726-1727 Pan D; Zeng YP; Kong MY; Wu J; Zhu YQ; Zhang CH; Li JM; Wang CY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/17 infrared detectors  semiconductor quantum dots  semiconductor superlattices   New observation on the formation of PbS clusters in zeolite-Y 期刊论文 applied physics letters, 1996, 卷号: 68, 期号: 14, 页码: 1990-1992 Chen W; Wang ZG; Lin ZJ; Qian JJ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 OPTICAL-PROPERTIES  SEMICONDUCTOR PARTICLES  CDS SUPERCLUSTERS  ELECTRON-TRANSFER  PHOTOLUMINESCENCE  PHOTOCHEMISTRY  COLLOIDS  SULFIDE  METAL   Photoluminescence and activation on SI-GaAs by Si+ implantation and following rapid thermal annealing 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1996, 卷号: 117, 期号: 0, 页码: 112-116 Li GH; Wang CH; Zhao J; Wang ZG; Wan SK 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 EFFICIENCY   Two-dimensional excitonic emission in InAs submonolayers 期刊论文 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 23, 页码: 16919-16924 Yuan ZL; Xu ZY; Zheng BZ; Xu JZ; Li SS; Ge WK; Wang Y; Wang J; Chang LL; Wang PD; Torres CMS; Ledentsov NN 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS QUANTUM-WELLS  OSCILLATOR STRENGTH  RADIATIVE LIFETIMES  LINEWIDTH  DOTS  PHOTOLUMINESCENCE  RELAXATION  DEPENDENCE  HETEROSTRUCTURES  LOCALIZATION