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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：1996    内容类型：期刊论文    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy growth of CdTe on (211)A GaAs 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 1996, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 3220 Yin, JJ; Huang, Q; Zhou, JM; Yin, JG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/18 GAAS(100)   The formation and microstructures of Si-based blue-light emitting porous beta-SiC 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1996, 卷号: 119, 期号: 4, 页码: 505 Bao, XM; Liao, LS; Li, NS; Min, NB; Gao, YH; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/23 SILICON  EMISSION   Growth and luminescence of SiGe self-organized dots 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 13, 期号: 8, 页码: 613 Chen, H; Xie, XG; Cheng, WQ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/17 STRAINED-LAYER SUPERLATTICES  VISIBLE-LIGHT EMISSION  POROUS SILICON  BAND-GAP  PHOTOLUMINESCENCE  ELECTROLUMINESCENCE   Effect of thermal annealing on optical emission properties of low-temperature grown AlGaAs/GaAs multiple quantum wells 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 69, 期号: 23, 页码: 3513 Feng, W; Chen, F; Wang, WX; Cheng, WQ; Yu, Y; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CARRIER LIFETIME  GAAS  200-DEGREES-C   Measurements of spatial and temporal sheath evolution inside tubular material for inner surface ion implantation 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 1996, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 3071 Sun, M; Yang, SZ; Chen, XC 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/18 PLASMA  MODEL   Photoluminescence enhancement of (NH4)(2)S-x passivated InP surface by rapid thermal annealing 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 1996, 卷号: 100, 页码: 592 Chen, WD; Li, XQ; Duan, LH; Xie, XL; Cui, YD 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/24