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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1996    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence and activation on SI-GaAs by Si+ implantation and following rapid thermal annealing 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1996, 卷号: 117, 期号: 0, 页码: 112-116 Li GH; Wang CH; Zhao J; Wang ZG; Wan SK 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 EFFICIENCY   Characterization and improvement of GaAs layers grown on Si using an ultrathin a-Si film as a buffer layer 期刊论文 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1996, 卷号: 35, 期号: 8a, 页码: l960-l963 Hao MS; Shao CL; Soga T; Jimbo T; Umeno M; Liang JW; Zheng LX; Xiao ZB; Xiao JF 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 GaAs/Si epilayer  a-Si buffer layer  deep level  MOCVD  DISLOCATION DENSITY