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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：1986    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 多晶硅膜的高压氧化 期刊论文 半导体学报, 1986 张爱珍; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2015/11/11 硅膜  高压氧化  加速氧化  氧化特性  氧化速率  氧化层厚度  薄层电阻  氧化时间  硅衬底  扩散结