Mg_xZn_(1-x)O/Au/Mg_xZn_(1-x)O夹层透明导电薄膜的制备及光电性质研究

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	Mg_xZn_(1-x)O/Au/Mg_xZn_(1-x)O夹层透明导电薄膜的制备及光电性质研究
	吕珊珊 ; 方铉 ; 王佳琦 ; 方芳 ; 赵海峰 ; 楚学影 ; 李金华 ; 房丹 ; 唐吉龙 ; 魏志鹏 ; 马晓辉 ; 王晓华 ; 浦双双 ; 徐莉
刊名	光谱学与光谱分析
	2014-09-14
期号	9 页码:2355-2359
关键词	溶胶-凝胶 MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO 退火温度
中文摘要	采用操作简单的溶胶-凝胶法和射频磁控溅射法在石英衬底上分别制备了MgxZn1-xO薄膜和MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的透明导电薄膜并对样品进行退火处理。利用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、光致发光、霍尔效应测试对在不同退火温度下薄膜的晶体结构、光学和电学性质进行表征分析,并研究退火温度对其影响。测试结果表明:所制备的薄膜样品均具有良好的c轴(c-axis)取向并呈现出六角纤锌矿结构。Mg组分的增加使得ZnO基薄膜的光学带隙逐渐增大,PL发光谱和吸收光谱的谱线出现了明显的蓝移现象,但薄膜的电学特性有所降低。而在MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的薄膜样品中,Au夹层的存在使薄膜的光学性质变差,在紫外区域透光率约为60%。但薄膜的电学性质得到明显改善,相比MgxZn1-xO薄膜,其电阻率和迁移率显著提高。此外通过高温退火处理可以有效提高所制备薄膜的晶体质量,进一步提高样品电学特性,其中经过500℃退火后的薄膜迁移率达到了40.9cm2·Vs-1,电阻率为0.005 7Ω·cm。但随着退火温度的进一步升高,薄膜晶体尺寸从25.1nm增大到32.4nm,从而降低了该薄膜的迁移率。因此该夹层结构的MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO薄膜对于促进ZnO基透明导电薄膜在深紫外光学器件中的应用有重要作用。
语种	中文
公开日期	2015-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43351]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	吕珊珊,方铉,王佳琦,等. Mg_xZn_(1-x)O/Au/Mg_xZn_(1-x)O夹层透明导电薄膜的制备及光电性质研究[J]. 光谱学与光谱分析,2014(9):2355-2359.
APA	吕珊珊.,方铉.,王佳琦.,方芳.,赵海峰.,...&徐莉.(2014).Mg_xZn_(1-x)O/Au/Mg_xZn_(1-x)O夹层透明导电薄膜的制备及光电性质研究.光谱学与光谱分析(9),2355-2359.
MLA	吕珊珊,et al."Mg_xZn_(1-x)O/Au/Mg_xZn_(1-x)O夹层透明导电薄膜的制备及光电性质研究".光谱学与光谱分析 .9(2014):2355-2359.