Resonant cavity-enhanced quantum dot field-effect transistor as a single-photon detector
Dong, Y ; Wang, GL ; Wang, HP ; Ni, HQ ; Chen, JH ; Gao, FQ ; Qiao, ZT ; Yang, XH ; Niu, ZC
刊名chinese physics b
2014
卷号23期号:10页码:104209
学科主题半导体物理
收录类别SCI
语种英语
公开日期2015-03-20
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26119]  
专题半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
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GB/T 7714
Dong, Y,Wang, GL,Wang, HP,et al. Resonant cavity-enhanced quantum dot field-effect transistor as a single-photon detector[J]. chinese physics b,2014,23(10):104209.
APA Dong, Y.,Wang, GL.,Wang, HP.,Ni, HQ.,Chen, JH.,...&Niu, ZC.(2014).Resonant cavity-enhanced quantum dot field-effect transistor as a single-photon detector.chinese physics b,23(10),104209.
MLA Dong, Y,et al."Resonant cavity-enhanced quantum dot field-effect transistor as a single-photon detector".chinese physics b 23.10(2014):104209.
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