超大规模集成电路设计基础  第三讲  NMOS VLSI的结构特性

	超大规模集成电路设计基础第三讲 NMOS VLSI的结构特性
	刘以暠,冯世琴
刊名	电子技术应用
	1991
期号	3 页码:36-40
关键词	NMOS VLSI 多层布线扩散层反相器简化结构拓扑结构扩散区导通电阻逻辑电路三维立体结构
中文摘要	<正> 3.1 NMOS VLSI拓扑结构NMOS集成电路是多层布线的三维立体结构,整个电路完全由各层特定宽度的线条构成。一条扩散层线条与一条多晶层线条相交叉,即形成一MOS 管。故电路中的连接线占芯片结构的绝大部分面积。因此VLSI芯片设计中,多层布线的技术对简化结构,缩小面积、提高集成度就十分重要;而它所含元器件——MOS管的数量多少,相对来说就显得不很重要了。
收录类别	CNKI
语种	中文
公开日期	2015-01-07
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ceode.ac.cn/handle/183411/37341]
专题	遥感与数字地球研究所_中文期刊论文_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘以暠,冯世琴. 超大规模集成电路设计基础第三讲 NMOS VLSI的结构特性[J]. 电子技术应用,1991(3):36-40.
APA	刘以暠,冯世琴.(1991).超大规模集成电路设计基础第三讲 NMOS VLSI的结构特性.电子技术应用(3),36-40.
MLA	刘以暠,冯世琴."超大规模集成电路设计基础第三讲 NMOS VLSI的结构特性".电子技术应用 .3(1991):36-40.