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	在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法
	査国伟 ; 李密锋 ; 喻颖 ; 王莉娟 ; 徐建星 ; 尚向军 ; 倪海桥 ; 贺振宏 ; 牛智川
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体物理
公开日期	2013-06-19
申请日期	2013-03-13
专利申请号	CN201310079069.3
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25844]
专题	半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	査国伟,李密锋,喻颖,等. 在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法.

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