| 题名 | X波段多注速调管外加载谐振腔的研究 |
| 作者 | 张丁 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2007-07-20 |
| 授予单位 | 中国科学院电子学研究所 |
| 授予地点 | 电子学研究所 |
| 导师 | 丁耀根 |
| 关键词 | 多注速调管 谐振腔 品质因数 微波工作室 |
| 其他题名 | Research on the Out-Load Resonant Cavity of X-band Multi-Beam Klystron |
| 中文摘要 | 本文主要讨论了一种可应用于X波段多注速调管的谐振腔外加载技术。与传统的内加载技术相比外加载技术不仅杜绝了内加载技术所可能造成的诸多隐患（涂敷不牢导致污染速调管内真空系统和带有磁性的涂敷材料对聚焦磁场造成的影响等），而且非常适用于X波段多注速调管的本身工艺结构特点，可在工程中实现。 谐振腔外加载技术分为匹配型外加载和谐振型外加载，二者已在国外的X波段速调管中得到了实际的应用。研究结果表明谐振型外加载更适用于X波段多注速调管的谐振腔，因为谐振型外加载可以比匹配型外加载获得更好的加载效果，从而满足X波段多注速调管的要求。 谐振型外加载技术结构相对复杂，调节时影响因素较多，借助三维电磁场计算软件Microwave studio，本论文得到了不同因素对谐振型外加载技术的影响规律，总结出一套实用的谐振腔外加载的调节步骤，并通过改善外加载对谐振腔内电场造成的畸变改善了各漂移孔的特性阻抗值。 通过测试一个实际的外加载谐振腔，基本验证了计算所得的规律，并最终得到了一个可满足实际加载要求的X波段多注速调管的外加载谐振腔。在研究外加载技术的过程中，本论文借助Microwave studio还开发了一些更加实用和高效的谐振腔谐振参数计算方法，主要包括群时延时间法计算多注速调管输出腔的外观品质因数和通过对主谐振腔的电场积分修正外加载谐振腔的特性阻抗计算值，二者都取得了很好结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-07-19 |
| 页码 | 70 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/8105]  |
| 专题 | 电子学研究所_电子所博硕士学位论文_电子所博硕士学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张丁. X波段多注速调管外加载谐振腔的研究[D]. 电子学研究所. 中国科学院电子学研究所. 2007. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论