| 快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路 | |
| 杨海钢 ; 李 策 | |
| 2010-12-24 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 一种快速稳定的互补金属氧化物半导体(CMOS)恒电位仪电路，涉及生化传感器技术，包括运算放大器、偏置电源、两个微电极和NMOS管，一个单刀双掷开关、一个稳压电容以及一个控制开关状态的数字逻辑电路，其中，偏置电源的正端和传感器的一个微电极分别接运算放大器的正、反向输入端，偏置电源的负端和另外一个微电极共同接地电平；NMOS管的栅极接运算放大器的输出端，源极接运算放大器的反向输入端，漏极作为恒电位仪的输出端；稳压电容一端接地电平，另一端接单刀双掷开关；单刀双掷开关的两个状态分别接到了运算放大器的正、反向输入端 |
| 公开日期 | 2007 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2006 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200610080985.9 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/5461]  |
| 专题 | 电子学研究所_可编程芯片与系统研究室_可编程芯片与系统研究室_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨海钢,李 策 . 快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路. 2010-12-24. |
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