界面极化效应对AlGaN /4H-SiC HBT器件性能影响研究

	界面极化效应对AlGaN /4H-SiC HBT器件性能影响研究
	周守利 ; 李伽 ; 梁显锋 ; 安军社
刊名	真空科学与技术学报
	2014
卷号	34 期号:1 页码:49-52
关键词	AlGaN/H-SiC HBT 异质结界面极化效应热场发射-扩散
ISSN号	1672-7126
其他题名	The impact of interface polarization effects on electrical properties of AlGaN/4H-SiC HBT
通讯作者	北京8701信箱
中文摘要	AlGaN/4H-SiC异质结界面存在大的自发和压电极化效应,从而使界面出现较多数量的极化电荷,这导致器件电学性能的改变。利用热场发射-扩散模型,基于数值模拟方法研究了异质结界面极化效应产生的极化电荷对AlGaN/4H-SiC HBT器件直流性能和高频性能的影响。得到了AlGaN/4H-SiC异质结界面极化效应引诱的正极性极化界面电荷削弱了异质结的内建电场,加速了载流子的扩散运动,因而能促进载流子的输运,从而使器件的直流特性和高频特性得到改善。
英文摘要	The impact of the polarizd charge, accumulated at the AlGaN/4H-SiC hetero-iunction because of strong spontaneous polarization and piezopelectric polarization, on the characteristics of the Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) fabricated with the AlGaN/4H-SiC hetero-junction was mathematically modeled, physically analyzed, and numerically simulated. The newly-formulated thermionic-field-diffusion model combined the drift-diffustion transport in the bulk of a HBT and the thermionic emission and tunneling at the interface. The calculated results show that the accumulated positive charges at the interface, originated from the strong polarizations, signficantly weaken the built-inelectric field in the hetero-junction, promoting the diffusion and transport of carriers and improving the performance of the AlGaN/4H-SiC HBT, its DC and high frequency characteristics in particular.
学科主题	空间技术
收录类别	EI
资助信息	浙江省自然科学基金(批准号:LY12F04003)资助信息功能材料国家重点实验室2009开放基金(批准号:FMI2009-08)资助国家自然科学基金(批准号:61205121)资助
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.nssc.ac.cn/handle/122/2718]
专题	国家空间科学中心_空间技术部
推荐引用方式 GB/T 7714	周守利,李伽,梁显锋,等. 界面极化效应对AlGaN /4H-SiC HBT器件性能影响研究[J]. 真空科学与技术学报,2014,34(1):49-52.
APA	周守利,李伽,梁显锋,&安军社.(2014).界面极化效应对AlGaN /4H-SiC HBT器件性能影响研究.真空科学与技术学报,34(1),49-52.
MLA	周守利,et al."界面极化效应对AlGaN /4H-SiC HBT器件性能影响研究".真空科学与技术学报 34.1(2014):49-52.