A Processing Window for Fabricating Heavily Doped Silicon Nanowires by Metal-Assisted Chemical Etching | |
Yangyang Qi , Zhen Wang , Mingliang Zhang , Fuhua Yang , and Xiaodong Wang | |
刊名 | j. phys. chem. c |
2013 | |
卷号 | 117期号:47页码:25090–25096 |
学科主题 | 微电子学 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2014-04-09 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24720] |
专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Yangyang Qi , Zhen Wang , Mingliang Zhang , Fuhua Yang , and Xiaodong Wang. A Processing Window for Fabricating Heavily Doped Silicon Nanowires by Metal-Assisted Chemical Etching[J]. j. phys. chem. c,2013,117(47):25090–25096. |
APA | Yangyang Qi , Zhen Wang , Mingliang Zhang , Fuhua Yang , and Xiaodong Wang.(2013).A Processing Window for Fabricating Heavily Doped Silicon Nanowires by Metal-Assisted Chemical Etching.j. phys. chem. c,117(47),25090–25096. |
MLA | Yangyang Qi , Zhen Wang , Mingliang Zhang , Fuhua Yang , and Xiaodong Wang."A Processing Window for Fabricating Heavily Doped Silicon Nanowires by Metal-Assisted Chemical Etching".j. phys. chem. c 117.47(2013):25090–25096. |
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