The effects of InGaN layer thickness on the performance of InGaN_GaN p–i–n solar cells | |
Li Liang, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Chen Ping, Wu Liang-Liang, Le Ling-Cong, Wang Hui, Yang Hui | |
刊名 | Chin. Phys. B
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2013 | |
卷号 | 22期号:6页码:068802 |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2014-04-09 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24744] ![]() |
专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Li Liang, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Chen Ping, Wu Liang-Liang, Le Ling-Cong, Wang Hui, Yang Hui. The effects of InGaN layer thickness on the performance of InGaN_GaN p–i–n solar cells[J]. Chin. Phys. B,2013,22(6):068802. |
APA | Li Liang, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Chen Ping, Wu Liang-Liang, Le Ling-Cong, Wang Hui, Yang Hui.(2013).The effects of InGaN layer thickness on the performance of InGaN_GaN p–i–n solar cells.Chin. Phys. B,22(6),068802. |
MLA | Li Liang, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Chen Ping, Wu Liang-Liang, Le Ling-Cong, Wang Hui, Yang Hui."The effects of InGaN layer thickness on the performance of InGaN_GaN p–i–n solar cells".Chin. Phys. B 22.6(2013):068802. |
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