Growth of Stoichiometric Cu3N thin films by reactive magnetron sputtering | |
A. L. Ji ; R. Huang ; Y. Du ; C. R. Li and Z. X. Cao | |
刊名 | Journal of Crystal Growth |
2006 | |
卷号 | 295页码:79 |
ISSN号 | ; |
公开日期 | 2013-09-17 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/39001] |
专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | A. L. Ji,R. Huang,Y. Du,et al. Growth of Stoichiometric Cu3N thin films by reactive magnetron sputtering[J]. Journal of Crystal Growth,2006,295:79. |
APA | A. L. Ji,R. Huang,Y. Du,&C. R. Li and Z. X. Cao.(2006).Growth of Stoichiometric Cu3N thin films by reactive magnetron sputtering.Journal of Crystal Growth,295,79. |
MLA | A. L. Ji,et al."Growth of Stoichiometric Cu3N thin films by reactive magnetron sputtering".Journal of Crystal Growth 295(2006):79. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论