三元系芯片型负温度系数热敏电阻器

	三元系芯片型负温度系数热敏电阻器
	常爱民
	2011-03-16
专利国别	中国
专利号	ZL200910113607.X
专利类型	发明
权利人	中国科学院新疆理化技术研究所
中文摘要	本发明涉及一种三元系芯片型负温度系数热敏电阻器，该电阻器是由硝酸锰、硝酸镍、硝酸钴为原料，以碳酸氢铵为沉淀剂，采用液相共沉淀法制成，通过控制硝酸盐与沉淀剂碳酸氢铵的摩尔比、反应温度以及pH值，以改善沉淀颗粒的团聚现象，再经水洗和醇洗的方式将产物中的杂质洗去，得到微细、均匀的热敏电阻粉末，再经干燥、煅烧，得到分散均匀的Mn、Ni、Co混合氧化物粉体，将粉体压块成型，等静压，高温烧结，半导体切、划片得到热敏电阻芯片，再经环氧树脂封装即可得到高性能的三元系芯片型负温度系数热敏电阻器；该电阻器具有一致性好、稳定性高、可重复和可互换的特点，适用于冰箱、空调等家电领域的温度测量、控制和线路补偿。
公开日期	2013-11-27
申请日期	2009-12-28
专利申请号	200910113607.X
内容类型	专利
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3273]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
推荐引用方式 GB/T 7714	常爱民. 三元系芯片型负温度系数热敏电阻器. ZL200910113607.X. 2011-03-16.