SiC MOSFET在三相PWM整流器中的研究与应用

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	SiC MOSFET在三相PWM整流器中的研究与应用
	米保全 2; 李许军 2; 王春霞 1
刊名	工业仪表与自动化装置
	2020-12-07
期号	2020-06 页码:75-79
关键词	SiCMOSFET 三相PWM整流器高频过流
英文摘要	新一代宽禁带半导体SiC器件相比传统Si器件在耐压、高频、高温等性能方面有很大优势。该文基于SiC MOSFET三相PWM整流器设计了SiC MOSFET的驱动电路;SiC MOSFET在三相PWM整流器的高频化设计,可以使交流侧的输入电感量进一步减小,这有利于提高电源的功率密度,但也容易导致整流器启动时刻出现过流问题。针对这一问题,提出了启动时刻通过合理设计电压电流双环控制中电压环的输出值作为限幅值的方法来抑制启动过流,并通过实验验证了该驱动电路满足设计要求和启动过流抑制方法的有效性。
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语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/132745]
专题	设计艺术学院
作者单位	1.兰州理工大学计算机与通信学院 2.甘肃机电职业技术学院;
推荐引用方式 GB/T 7714	米保全,李许军,王春霞. SiC MOSFET在三相PWM整流器中的研究与应用[J]. 工业仪表与自动化装置,2020(2020-06):75-79.
APA	米保全,李许军,&王春霞.(2020).SiC MOSFET在三相PWM整流器中的研究与应用.工业仪表与自动化装置(2020-06),75-79.
MLA	米保全,et al."SiC MOSFET在三相PWM整流器中的研究与应用".工业仪表与自动化装置 .2020-06(2020):75-79.