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SnAgCu-xTi在单晶硅表面的润湿行为
隋然2; 林巧力1
刊名焊接学报
2020-04-25
期号2020-04页码:90-96+102
关键词润湿性 表面绒化 惰性界面 连接
英文摘要采用改良座滴法在高真空条件下研究了熔融Sn0.3Ag0.7Cu(SAC)-xTi(x为质量分数,%)在800~900℃与单晶硅表面的润湿行为.结果表明,SAC-xTi/Si体系属于惰性润湿体系,钛的添加显著改善了润湿性.在不添加钛时,SAC钎料在800℃与单晶硅润湿1 800 s后达到平衡,平衡接触角为63°;SAC-1Ti钎料在900℃润湿1 800 s后获得最小平衡接触角41°;SAC-3Ti钎料在900℃时达到平衡润湿的时间最短,仅为50 s,平衡接触角为48°.润湿机制为钛加速了单晶硅表面氧化膜的去除.在熔融钎料的铺展过程中,通过溶解-再析出机制和微掩膜机制,在固/液界面处形成了温度依赖的"金字塔"结构,温度越高,"金字塔"结构越稀疏且形貌越大."金字塔"结构的出现并未改善体系的润湿性,由于其对三相线的钉扎作用,进而使得体系的润湿性变差.
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语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/156325]  
专题材料科学与工程学院
作者单位1.兰州理工大学省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室
2.兰州工业学院;;
推荐引用方式
GB/T 7714
隋然,林巧力. SnAgCu-xTi在单晶硅表面的润湿行为[J]. 焊接学报,2020(2020-04):90-96+102.
APA 隋然,&林巧力.(2020).SnAgCu-xTi在单晶硅表面的润湿行为.焊接学报(2020-04),90-96+102.
MLA 隋然,et al."SnAgCu-xTi在单晶硅表面的润湿行为".焊接学报 .2020-04(2020):90-96+102.
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