| 题名 | 中国早期半导体技术的突破：以锗提炼为例（1956~1965） |
| 作者 | 李昕 |
| 答辩日期 | 2021-06 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 孙烈 |
| 关键词 | 半导体技术 十二年科技规划 锗提炼 云南会泽铅锌矿 |
| 学位名称 | 理学硕士 |
| 其他题名 | The Breakthrough of Early Semiconductor Technology in China: Taking Germanium Extraction as an Example (1956-1965) |
| 学位专业 | 技术史 |
| 英文摘要 | 1956年至1965年是中国半导体技术的早期阶段，这一阶段的半导体技术以锗晶体管等分离元器件为特征，有独特的需要解决的问题——比如规模化地提炼锗。本文以中国早期半导体技术为研究对象，并以规模化提炼锗的技术突破为研究案例，讨论高技术在中国从规划、实践再到突破的特征。“十二年科技规划”是中国早期半导体技术开始有组织地研究的起点，也是研究半导体技术史的重要背景，因此本文将其作为第一个研究重点。本文通过分析规划文本并梳理规划编制的过程和影响，发现“十二年科技规划”已经意识到了半导体技术在国防工业上的重要作用，理解了半导体技术“学科交叉，多因素影响”的特性，明确了半导体技术的主要内容及发展重点，并初步制定了组织方案，对中国早期半导体技术的突破和发展起到了促进作用。但规划并不能必然导致结果的产生，实践是另一个不容忽视的过程，这是本文的第二个研究重点。以提炼锗为例，中国何处有锗资源？找到了含锗资源后如何提炼？本文选取江苏发现含锗赤铁矿提炼锗后，当地的探索实践作为子案例进行研究，讨论江苏提锗实践的成败得失。这一子案例说明，富集方法，特别是火法富集方法是提炼锗的技术核心，江苏正是在此问题上出现了曲折的探索，才影响了技术突破的时效。不同于江苏，云南顺利地掌握了适于当地火法富集方法，并顺利地建成为中国锗原料基地。因此，分析云南提锗的技术来源是本文的第三个重点，也是本文的核心。此部分梳理了云南会泽铅锌矿建成中国锗原料基地的过程，发现苏联在“156项工程”中对当地铅锌冶炼技术的援助，不经意地使会泽铅锌矿拥有了火法富集方法，也拥有了规模化提炼锗技术所需的研发力量和工业基础。又由于当地有丰富且稳定的锗资源，使会泽铅锌矿成为中国锗原料基地。本文最后一部分从案例回归到整体，关注到中国早期半导体技术除锗原料供应以外其他环节技术核心的突破，讨论它们与锗提炼的联系与区别；在此基础上，讨论中国早期半导体技术的影响与特征。本案例研究表明，以半导体技术为代表的高技术在中国的早期突破，不是少数科学家或个别科研机构的一两项研究的突破，而是众多人员和机构各技术环节分别取得突破的共同结果。这一特征，既与半导体技术学科交叉的特点有关，也是新技术在中国出现的“早期”表现，还受到了当时中国国防需求的影响。 |
| 语种 | 中文 |
| 页码 | 123 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.ihns.ac.cn/handle/311051/9448]  |
| 专题 | 研究生_学位论文_硕士论文 |
| 作者单位 | 中国科学院自然科学史研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李昕. 中国早期半导体技术的突破：以锗提炼为例（1956~1965）[D]. 北京. 中国科学院大学. 2021. |
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