宽禁带半导体物理

	宽禁带半导体物理
	申德振
刊名	科学观察
	2021-10-15
卷号	16 期号:05 页码:85-88
英文摘要	宽禁带半导体材料包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、氧化镓(Ga_2O_3)和金刚石等,也被称为第3代半导体材料。与硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等前两代传统半导体材料相比,宽禁带半导体材料除具有优异的光电特性外,还具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强、介电常数低等优越性能,因此宽禁带半导体材料被广泛用于制作电子电力和光电器件,
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内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/66086]
专题	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	申德振. 宽禁带半导体物理[J]. 科学观察,2021,16(05):85-88.
APA	申德振.(2021).宽禁带半导体物理.科学观察,16(05),85-88.
MLA	申德振."宽禁带半导体物理".科学观察 16.05(2021):85-88.