TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究

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	TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究
	曲杨 ; 王欣洋 ; 周泉 ; 常玉春
刊名	半导体光电
	2020
卷号	41 期号:02 页码:169-172
关键词	时间延时积分 CMOS 光晕横向抗晕栅满阱容量
英文摘要	时间延时积分CMOS图像传感器(TDI-CIS)具有优良的微光探测能力,可应用于航空探测及卫星遥感等领域。然而,在入射光强较强时,TDI-CIS容易出现光晕(Blooming)现象,影响观测效果。首先分析了光晕产生的机理;然后基于两种传统的抗晕结构,设计出一种具有沿垂直方向布局的长方形横向抗晕栅的TDI-CIS;通过成像实验发现横向抗晕栅极电压与抗晕效果及满阱容量(FWC)之间呈负相关关系;最后通过实验得到所设计TDI-CIS的最优抗晕栅极电压值为2.1V。
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内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/63994]
专题	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
作者单位	1.大连理工大学微电子学院 2.长光辰芯光电技术有限公司 3.中国科学院大学 4.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	曲杨,王欣洋,周泉,等. TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究[J]. 半导体光电,2020,41(02):169-172.
APA	曲杨,王欣洋,周泉,&常玉春.(2020).TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究.半导体光电,41(02),169-172.
MLA	曲杨,et al."TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究".半导体光电 41.02(2020):169-172.