Ti掺杂MoS2薄膜的抗氧化性和电学性能

	Ti掺杂MoS2薄膜的抗氧化性和电学性能
	谢明玲 2; 张广安 1; 史鑫 2; 谭稀 2; 高晓平 2; 宋玉哲 2
刊名	材料研究学报
	2020-11-01
卷号	35 期号:2 页码:59-64
关键词	材料科学基础学科 MoS2薄膜磁控溅射抗氧化性电学性能
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.licp.cn/handle/362003/28027]
专题	兰州化学物理研究所_固体润滑国家重点实验室
通讯作者	宋玉哲
作者单位	1.中科院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室 2.甘肃省科学院传感技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	谢明玲,张广安,史鑫,等. Ti掺杂MoS2薄膜的抗氧化性和电学性能[J]. 材料研究学报,2020,35(2):59-64.
APA	谢明玲,张广安,史鑫,谭稀,高晓平,&宋玉哲.(2020).Ti掺杂MoS2薄膜的抗氧化性和电学性能.材料研究学报,35(2),59-64.
MLA	谢明玲,et al."Ti掺杂MoS2薄膜的抗氧化性和电学性能".材料研究学报 35.2(2020):59-64.