抗辐射封装加固：电子辐射屏蔽设计

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	抗辐射封装加固：电子辐射屏蔽设计
	赵鹤然1 ; 王吉强2 ; 陈明祥3 ; 杨涛4 ; 何承发5 ; 杜昊6
刊名	微处理机
	2021
卷号	42 期号:5 页码:1-4
关键词	总剂量效应空间辐射封装加固纳米材料屏蔽
ISSN号	1002-2279
英文摘要	空间环境辐射对宇航级器件产生总剂量效应会导致器件性能参数随着剂量累积而逐步衰退,主流的抗辐射加固途径主要是芯片设计和工艺加固,存在设计周期长、流片及验证成本高等问题。针对此问题,为降低具有小批量、多批次特点的宇航级器件的研发门槛,提出一种用于封装抗辐射加固的电子辐射屏蔽设计。设计通过分析GEO轨道的辐射环境,基于对高能电子与屏蔽材料的作用机制,针对电子辐射总剂量效应,采用Al/Ta纳米复合材料结构来屏蔽空间环境中的高能电子辐射及其二次辐射,解决传统封装加固中遇到的"越挡越乱"问题。经实验,0.4mm以上复合涂层屏蔽效率超过90%并通过了可靠性测试。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7966]
专题	固体辐射物理研究室
作者单位	1.广东腐蚀科学与技术创新研究院 2.中国科学院新疆理化技术研究所 3.中国科学院国家空间科学中心 4.华中科技大学机械科学与工程学院 5.中国科学院金属研究所 6.中国电子科技集团公司第四十七研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵鹤然1,王吉强2,陈明祥3,等. 抗辐射封装加固：电子辐射屏蔽设计[J]. 微处理机,2021,42(5):1-4.
APA	赵鹤然1,王吉强2,陈明祥3,杨涛4,何承发5,&杜昊6.(2021).抗辐射封装加固：电子辐射屏蔽设计.微处理机,42(5),1-4.
MLA	赵鹤然1,et al."抗辐射封装加固：电子辐射屏蔽设计".微处理机 42.5(2021):1-4.