酸性条件下的CdSe波片抛光工艺研究

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	酸性条件下的CdSe波片抛光工艺研究
	魏顺勇 2; 张志勇 1; 杨辉 2; 安辛友 2; 张敏 2; 曾体贤 2
刊名	人工晶体学报
	2018
卷号	047 期号:006 页码:1280
ISSN号	1000-985X
英文摘要	利用自然解理和X射线衍射仪对气相法制备的大尺寸CdSe单晶定向,并沿光轴方向切割出20 mm×20 mm×3 mm的CdSe波片初胚。采用酸性化学机械抛光方法对波片初胚进行表面处理,将5%溴甲醇与W0.25（粒度为0.25μm）的金刚石悬浮液按1∶10的体积比混合并用盐酸调节抛光液的pH值。结果表明：当抛光液pH=5时,样品表面平整划痕较少,粗糙度约为0.8 nm,平行度公差f=0.00275 mm,样品的红外透过率在2-20μm波段均达到65%-70%,其吸收系数在0.01-0.06 cm^-1之间。
语种	英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.bao.ac.cn/handle/114a11/43119]
专题	中国科学院国家天文台
作者单位	1.中国科学院国家天文台 2.西华师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	魏顺勇,张志勇,杨辉,等. 酸性条件下的CdSe波片抛光工艺研究[J]. 人工晶体学报,2018,047(006):1280.
APA	魏顺勇,张志勇,杨辉,安辛友,张敏,&曾体贤.(2018).酸性条件下的CdSe波片抛光工艺研究.人工晶体学报,047(006),1280.
MLA	魏顺勇,et al."酸性条件下的CdSe波片抛光工艺研究".人工晶体学报 047.006(2018):1280.