| 基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器 | |
| 陆文强; 张昆; 付勰; 康帅; 冯双龙 | |
| 2020-06-05 | |
| 著作权人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 专利号 | 2019211668132 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种基于黑硅和量子点的Si‑APD光电探测器,所述Si‑APD光电探测器包括本征Si衬底(1)、位于本征Si衬底(1)中心上方的P区(2)、位于本征Si衬底(1)两侧上方保护环区即N区(3)、位于P区(2)上方的N+区(4)、位于N+区(4)上方的N+黑硅层(5)。本实用新型以覆盖了量子点的黑硅层作为光敏层，利用其高的红外吸收特性，解决了传统Si‑APD光电探测器无法响应近红外波段或者近红外响应度低等问题；本实用新型能够吸收近红外波段光波，具有光谱响应宽，响应度高，过噪声小，成本低，易于加工等优点。 |
| 分类号 | H01l31/0236(2006.01)i ; H01l31/0288(2006.01)i ; h01l31/032(2006.01)i ; h01l31/0352(2006.01)i ; h01l31/107(2006.01)i ; h01l31/18(2006.01)i |
| 申请日期 | 2019-07-24 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 已授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/11504]  |
| 专题 | 微纳制造与系统集成研究中心 |
| 作者单位 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆文强,张昆,付勰,等. 基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器. 2019211668132. 2020-06-05. |
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