太阳能电池作为人造卫星等航天器唯一的一次电力来源，暴露在高能电子、质子等复杂的空间环境中，这些高能带电粒子与太阳能电池材料相互作用，使材料内晶格原子发生位移，影响载流子寿命，降低电池的效率，导致航天器因电力不足而减少在轨服役时间。四结键合结构的太阳能电池由于其转换效率的优势，有取代目前三结电池的趋势，成为下一代空间动力的主要来源，但是对于其抗辐射性能的研究，还处于起步阶段。因此，提高四结键合太阳能电池抗辐射性能并建立有效的在轨服役时间评估方法具有重要意义。针对单结硅电池和GaAs电池，在微观缺陷、辐射效应及评估方法上已有相对完备的研究成果，但对于多元化合物叠层结构的复杂电池在各方面的研究还相对欠缺，尤其是基于复杂多元化合物的微观表征和电池器件的退化预测还存在诸多待解决的难题。键合结构的四结太阳能电池是由GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP/InGaAs双结电池键合而成，本文选取其中InGaAsP/InGaAs双结电池及对应的InGaAsP和InGaAs单结电池作为研究对象，主要完成以下三部分工作：1）分析不同能量、不同类型粒子在多元化合物中的作用轨迹及能量沉积情况；2）讨论不同注量下1MeV电子对双结及单结电池的损伤结果及3MeV质子和10MeV质子对双结及单结电池的损伤结果。分析的参数包括短路电流、开路电压、暗特性和量子效率，探讨不同粒子作用下，太阳能电池的损伤机理及退化规律；3）基于实验数据，分析位移损伤剂量与电池退化的关系，比较同种电池不同能量质子辐照下的相关性，探讨1MeV电子和10MeV质子的结果，得出转化因子。 综上所述，本文立足于四结键合电池的子电池，分析高能粒子辐照下电池的损伤机理与退化规律，基于等效位移损伤剂量，讨论不同能量和不同粒子间损伤的相关性，期望对四结键合电池的辐射效应研究提供部分实验基础。