光电催化分解水Ⅲ-Ⅴ族半导体光电极薄膜保护策略

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	光电催化分解水Ⅲ-Ⅴ族半导体光电极薄膜保护策略
	张旭强; 吕功煊
刊名	化学进展
	2020-10
卷号	32 期号:9 页码:1368-1375
英文摘要	Ⅲ-Ⅴ族半导体材料(如GaAs、InP、GaP等)具有抗辐射性能高、温度特性好、耐高温等特点。相比于其他材料构建的光电催化体系,由这类半导体构成的光电极具有更高的太阳能吸收效率和光电转换效率。然而,大多数Ⅲ-Ⅴ族半导体在水溶液电解质中的物理化学性质很不稳定,导致太阳能驱动分解水性能衰减较快。基于此,本文综述了薄膜保护层在改善Ⅲ-Ⅴ族半导体光电极电化学稳定性方面的主要成就和研究现状,分析总结了获得稳定高效的光电反应界面和分解水效率的策略,探讨了导致材料衰减的原因和相应改善措施,最后展望了薄膜保护策略的未来发展前景。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.licp.cn/handle/362003/26584]
专题	兰州化学物理研究所_OSSO国家重点实验室
通讯作者	吕功煊
作者单位	中国科学院兰州化学物理研究所羰基合成与选择氧化国家重点实验室　兰州730000
推荐引用方式 GB/T 7714	张旭强,吕功煊. 光电催化分解水Ⅲ-Ⅴ族半导体光电极薄膜保护策略[J]. 化学进展,2020,32(9):1368-1375.
APA	张旭强,&吕功煊.(2020).光电催化分解水Ⅲ-Ⅴ族半导体光电极薄膜保护策略.化学进展,32(9),1368-1375.
MLA	张旭强,et al."光电催化分解水Ⅲ-Ⅴ族半导体光电极薄膜保护策略".化学进展 32.9(2020):1368-1375.