4H-SiC探测器对强激光等离子体下反应产物的测量

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	4H-SiC探测器对强激光等离子体下反应产物的测量
	浮海娟 ; 王林军 ; 王宏伟 ; 曹喜光 ; 刘龙祥 ; 范功涛 ; 马余刚 ; 薛韩 ; 张岳 ; 胡新荣
刊名	核技术
	2019
卷号	42 期号:02 页码:58-63
关键词	4H-SiC探测器波形采样器能量分辨飞行时间
文献子类	期刊论文
英文摘要	研制了一款采用PCB(Printed Circuit Board)板封装、直接信号波形采样引出、用于激光等离子体飞行时间测量的4H-SiC探测器,探测器灵敏面积5 mm×5 mm,灵敏层厚度80μm,全耗尽电压为350～600 V。利用标准α源和强激光反应产物对4H-SiC的性能进行了测试:标准α源(~(228)Th,~(226)Ra)的能量刻度表明,4H-SiC探测器具有良好的能量线性响应,能量分辨率达到1.19%@7 666.75 keV,具有2～3 ns的快时间响应和飞行时间离子甄别的功能,是用于强激光等离子体反应产物的离子诊断和能量测量的有力工具。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/32285]
专题	上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年
作者单位	1.中国科学院上海应用物理研究所 2.上海大学材料科学与工程学院 3.中国科学院大学
推荐引用方式 GB/T 7714	浮海娟,王林军,王宏伟,等. 4H-SiC探测器对强激光等离子体下反应产物的测量[J]. 核技术,2019,42(02):58-63.
APA	浮海娟.,王林军.,王宏伟.,曹喜光.,刘龙祥.,...&胡新荣.(2019).4H-SiC探测器对强激光等离子体下反应产物的测量.核技术,42(02),58-63.
MLA	浮海娟,et al."4H-SiC探测器对强激光等离子体下反应产物的测量".核技术 42.02(2019):58-63.