SiO2光学薄膜的吸收边特性

doi:10.12086/oee.2019.180220

CORC > 光电技术研究所 > 中国科学院光电技术研究所 > 薄膜光学技术研究室（十一室）

	SiO2光学薄膜的吸收边特性
	孔明东[1,2]; 李斌成[3]; 郭春[1]; 柳存定[1]; 何文彦[1]
刊名	光电工程
	2019
卷号	46 期号:4 页码:11-17
关键词	SIO2薄膜带隙宽度带尾能量氧空位缺陷
DOI	10.12086/oee.2019.180220
文献子类	期刊论文
英文摘要	二氧化硅(SiO2)是光学系统中最常用光学薄膜材料之一,其微观结构、缺陷等信息对于研究和提高薄膜的性能具有重要作用。本文通过电子束蒸发、离子辅助、磁控溅射方法制备SiO2薄膜并进行测试,计算出其吸收边光谱,对吸收边光谱的强吸收区、e指数区、弱吸收区进行分段分析得到SiO2薄膜的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量数据。进一步分析三种薄膜和其在常规退火温度下的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量的数据,获得SiO2薄膜的微观原子排列结构、微观缺陷信息,并对不同镀膜技术和不同退火温度下SiO2薄膜的原子排列结构、微观缺陷的差异和变化进行了分析和讨论。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/9834]
专题	光电技术研究所_薄膜光学技术研究室（十一室）
作者单位	1.电子科技大学光电科学与工程学院,四川成都610054 2.中国科学院光电技术研究所,四川成都610209 3.中国科学院大学,北京100049
推荐引用方式 GB/T 7714	孔明东[1,2],李斌成[3],郭春[1],等. SiO2光学薄膜的吸收边特性[J]. 光电工程,2019,46(4):11-17.
APA	孔明东[1,2],李斌成[3],郭春[1],柳存定[1],&何文彦[1].(2019).SiO2光学薄膜的吸收边特性.光电工程,46(4),11-17.
MLA	孔明东[1,2],et al."SiO2光学薄膜的吸收边特性".光电工程 46.4(2019):11-17.