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	基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构
	张志珂; 韩雪妍; 赵泽平; 郭锦锦; 刘建国
	2019-09-20
著作权人	中国科学院半导体研究所
专利号	CN110265876A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构
英文摘要	本发明公开了一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，包括一多功能低温共烧陶瓷基板(3)、一背光探测器芯片阵列(2)和一激光器芯片阵列(1)。其中多功能低温共烧陶瓷基板(3)从下至上至少包括：用于传输高频信号的高频功能层(32)和用于传输直流信号的直流功能层(31)；背光探测器芯片阵列(2)包括N个背光探测器芯片；激光器芯片阵列(1)包括N个激光器芯片。本发明提出的基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，通过低温共烧陶瓷技术将多个功能层叠压成一体形成功能低温共烧陶瓷基板，并通过过孔结构在基板内部形成三维电路图，实现信号的传输，具有可靠性高、集成度高、体积小等特点，适用于大规模高密度阵列芯片的集成封装。
公开日期	2019-09-20
申请日期	2019-06-21
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92471]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张志珂,韩雪妍,赵泽平,等. 基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构. CN110265876A. 2019-09-20.

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