| 外腔可调谐激光器及波长调谐方法 | |
| 班德超; 陈伟; 张晨玮; 祝宁华 | |
| 2019-08-09 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN110112652A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 外腔可调谐激光器及波长调谐方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种外腔可调谐激光器及波长调谐方法，属于激光器技术领域。其中，外腔可调谐激光器，包括：半导体增益芯片、第一准直透镜、闪耀光栅以及与闪耀光栅相对的反光镜；半导体增益芯片、第一准直透镜以及闪耀光栅位于同一光轴上，且闪耀光栅的光栅平面与光轴存在一个大于0的夹角；其中，半导体增益芯片从左到右依次包括取样光栅区、调相区、增益区以及分别覆盖于取样光栅区、调相区、增益区上方的第一电极、第二电极以及第三电极；闪耀光栅和反射镜均固定于电动或者手动控制的机械结构上。本发明实现了激光器对波长大范围、快速、精细的调谐，并且可以压窄输出波长。 |
| 公开日期 | 2019-08-09 |
| 申请日期 | 2019-05-16 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92441]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 班德超,陈伟,张晨玮,等. 外腔可调谐激光器及波长调谐方法. CN110112652A. 2019-08-09. |
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