| 一种多孔GaN导电DBR及其制备方法 | |
| 张宇; 魏斌 | |
| 2019-07-26 | |
| 著作权人 | 山东大学 |
| 专利号 | CN110061109A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种多孔GaN导电DBR及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种多孔GaN导电DBR及其制备方法，包括自下而上依次生长的衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型故意掺杂氮化镓层和多孔GaN导电DBR层；所述多孔GaN导电DBR层由高孔洞率多孔GaN层和低孔洞率多孔GaN层交替堆叠形成。本发明不存在晶格失配问题，结构稳定，且多孔GaN导电DBR层具有高反射率、导电性好、中心波长可调的特点。 |
| 公开日期 | 2019-07-26 |
| 申请日期 | 2019-04-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92432]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张宇,魏斌. 一种多孔GaN导电DBR及其制备方法. CN110061109A. 2019-07-26. |
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