| 蓝光边发射激光器及其制备方法 | |
| 孙慧卿; 李书朋; 郭志友 | |
| 2019-02-22 | |
| 著作权人 | 华南师范大学 |
| 专利号 | CN109378708A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 蓝光边发射激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及蓝光边发射激光器及其制备方法，其包括依次层叠于衬底上的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括N型缓冲层、N型限制层、N型波导层、量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型缓冲层以及欧姆接触层，在所述边发射激光器的出光面设置有石墨烯层与金颗粒的复合结构。本发明将通过石墨烯与金颗粒的复合结构与激光器的激光耦合，产生等离子激元效应，通过金属成分的等离激元效应增强光吸收，然后将吸收的光传输到石墨烯部分，将光场限制在衍射极限以下，提升了蓝光波段边发射激光器的发射效率。并且本发明提供的用于边发射激光器的石墨烯与金颗粒的复合结构，其制备工艺简单，并且与本发明的边发射激光器制备工艺完全兼容。 |
| 公开日期 | 2019-02-22 |
| 申请日期 | 2018-11-16 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92332]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙慧卿,李书朋,郭志友. 蓝光边发射激光器及其制备方法. CN109378708A. 2019-02-22. |
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